Du nouveau par rapport a ce que j'ai dit sur le nombre de cycles
d'ecriture des memoires flash.
J'utilise pour le boulot une carte VME Motorola sur laquelle il y a de
la memoire flash. Plusieurs personnes nous ont dit que cete memoire ne
pouvait pas se programmer plus d'une centaine de fois.
Or, le composant est un chip Intel (tiens-tiens...) et apres leur avoir
pose directement la question, j'ai apris que cette memoire peut se
reprogrammer environ 100 000 fois.
Mais c'est vrai que les premieres memoire flash avaient un nombre limite
de cycles d'ecriture (environ 100 fois). Les composants ont donc fait
des progres.
Quand a la difference avec une EEPROM, c'est surtout le temps
d'ecriture, qui, comme je l'avais deja dit, est de l'ordre de quelques
dizaines de ns, alors qu'une EEPROM prend 5 a 10 ms. Mais la difference
s'arrete la, car une memoire flash se programme de la meme facon qu'une
EEPROM. Il faut une tension de boost (la aussi ca a change; avant il
falait 12V, maintenant ca marche avec 5V) au moment de l'effacement et
de l'ecriture.
Et puis si ca se trouve, il y a des constructeurs qui continuent a
appeler EEPROM des memoires qui se programme comme des flash... Mais
c'est vrai que 'flash' ca fait bien !!! J'achete...
Donc dans les modems, que se soit de la flash ou de l'EEPROM, on peut
supposer qu'il y a des composants qui permettent un nombre suffisant de
cycles.
